Sự khác biệt giữa SDRAM, DDR1, DDR2, DDR3 và DDR4 là gì?

SDRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ):
“Đồng bộ” cho biết về hoạt động của loại DRAM. Cuối năm 1996, SDRAM bắt đầu xuất hiện trong các hệ thống. Không giống như các công nghệ trước đây, SDRAM được thiết kế để tự đồng bộ hóa với thời gian của CPU. Điều này cho phép bộ điều khiển bộ nhớ biết chính xác chu kỳ xung nhịp khi dữ liệu được yêu cầu sẽ sẵn sàng, do đó CPU không còn phải chờ giữa các lần truy cập bộ nhớ. Ví dụ: PC66 SDRAM chạy ở tốc độ 66 MT/s, PC100 SDRAM chạy ở tốc độ 100 MT/s, PC133 SDRAM chạy ở tốc độ 133 MT/s, v.v.
SDRAM có thể là viết tắt của SDR SDRAM (SDRAM tốc độ dữ liệu đơn), trong đó I/O, clock bên trong và clock bus là như nhau. Ví dụ, I/O, clock bên trong và clock bus của PC133 đều là 133 Mhz. Tốc độ dữ liệu đơn có nghĩa là SDR SDRAM chỉ có thể đọc/ghi một lần trong chu kỳ clock. SDRAM phải chờ hoàn thành lệnh trước đó để có thể thực hiện một thao tác đọc/ghi khác.

DDR SDRAM (SDRAM tốc độ dữ liệu kép):
Thế hệ SDRAM tiếp theo là DDR, đạt được băng thông lớn hơn so với SDRAM tốc độ dữ liệu đơn trước đó bằng cách truyền dữ liệu trên các cạnh tăng và giảm của tín hiệu clock (được bơm hai lần). Hiệu quả, nó tăng gấp đôi tốc độ truyền mà không làm tăng tần số clock. Tốc độ truyền của DDR SDRAM là gấp đôi SDR SDRAM mà không thay đổi clock bên trong. DDR SDRAM, là thế hệ bộ nhớ DDR đầu tiên, bộ đệm tìm nạp trước là 2 bit, gấp đôi SDR SDRAM. Tốc độ truyền của DDR nằm trong khoảng 266 ~ 400 MT/s. DDR266 và DDR400 thuộc loại này.

DDR2 SDRAM (Tốc độ dữ liệu kép hai SDRAM):
Lợi ích chính của nó là khả năng vận hành bus dữ liệu ngoài nhanh gấp đôi so với DDR SDRAM. Điều này đạt được bằng tín hiệu bus được cải thiện. Bộ đệm tìm nạp trước của DDR2 là 4 bit (gấp đôi DDR SDRAM). Bộ nhớ DDR2 có cùng tốc độ xung nhịp (133 ~ 200 MHz) với DDR, nhưng tốc độ truyền của DDR2 có thể đạt 533 ~ 800 MT/s với tín hiệu bus I/O được cải thiện. Các loại bộ nhớ DDR2 533 và DDR2 800 đang có trên thị trường.

DDR3 SDRAM (Tốc độ dữ liệu kép ba SDRAM):
Bộ nhớ DDR3 giảm 40% mức tiêu thụ năng lượng so với các mô-đun DDR2 hiện tại, cho phép dòng điện và điện áp hoạt động thấp hơn (1,5 V, so với 2,5 V hoặc DDR của 2,5 V). Tốc độ truyền của DDR3 là 800 ~ 1600 MT/s. Độ rộng bộ đệm tìm nạp trước của DDR3 là 8 bit, trong khi DDR2 là 4 bit và DDR là 2 bit. DDR3 cũng bổ sung hai chức năng, chẳng hạn như ASR (Tự động làm mới) và SRT (Nhiệt độ tự làm mới). Chúng có thể làm cho bộ nhớ kiểm soát tốc độ làm mới theo sự thay đổi nhiệt độ.

DDR4 SDRAM (SDRAM thứ tư tốc độ dữ liệu kép):
DDR4 SDRAM cung cấp điện áp hoạt động thấp hơn (1.2V) và tốc độ truyền cao hơn. Tốc độ truyền của DDR4 là 2133 ~ 3200 MT/s. DDR4 bổ sung bốn công nghệ Bank Groups mới. Mỗi Bank Groups có tính năng hoạt động độc lập. DDR4 có thể xử lý 4 dữ liệu trong một chu kỳ xung nhịp, vì vậy rõ ràng hiệu quả của DDR4 tốt hơn DDR3. DDR4 cũng bổ sung một số chức năng, chẳng hạn như DBI (Data Bus Inversion), CRC (Cyclic Redundancy Check) và CA chẵn lẻ. Chúng có thể tăng cường tính toàn vẹn tín hiệu của bộ nhớ DDR4 và cải thiện tính ổn định của việc truyền / truy cập dữ liệu.